الکتروانسفالوگرافی (2)

مباحث پایه (2)

پتانسیل‌های پس‌سیناپسی در سلول‌های عصبی توسط ایمپالس‌های (پتانسیل‌های عمل) دریافت‌شده از دیگر نورون‌ها ایجاد می‌گردند. ایمپالس در نورون آورنده موجب رهاسازی انتقال‌دهنده عصبی از پایانه‌های عصبی آن می شود که در شکاف سیناپسی به سمت غشای نورون پس‌سیناپسی منتشر شده و در آنجا با یک گیرنده‌ی خاص وارد برهم‌کنش می گردد. برهم‌کنش مذکور تغییر گذرایی در نفوذپذیری یون‌های مشخصی در بخشی از غشا نزدیک به سیناپس ایجاد می‌نماید؛ این امر موجب یک تغییر محلی در پتانسیل استراحت یا یک پتانسیل پس‌سیناپسی می‌شود.

پتانسیل‌ پس‌سیناپسی تحریکی یا EPSP یک کاهش جزئی گذرا در پتانسیل غشا است که معمولا به دلیل افزایش نفوذپذیری محلی یون‌های سدیم و پتاسیم می‌باشد. ورود یون‌های مثبت سدیم از خارج به درون سلول موجب کاهش پلاریته‌ی منفی پتانسیل استراحت سلول گشته و سلول را تا حدی دپلاریزه می‌نماید. در مقابل پتانسیل پس‌سیناپسی مهاری یا IPSP یک افزایش گذرای درپلاریته‌ی منفی داخل سلولی است که بواسطه ورود یون‌های منفی کلرید و خروج یون‌های پتاسیم از سلول روی می‌دهد. پتانسیل تولید شده در سیناپس‌ مهاری در بخش‌های مختلف سلول با یکدیگر جمع شده و سلول را هایپرپلاریزه می کنند که تمایل نورون به آتش را کاهش می‌دهد. اختلاف پتانسیل بین بخش پس‌سیناپسی غشا و دیگر بخش‌های غشا جریان الکتریکی‌ای ایجاد می‌کند که در غشای سلول جریان یافته و پتانسیل غشای جسم سلولی را تغییر می‌دهد.